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Microsemi Corporation 1N6169US

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型号

1N6169US

utmel 编号

1619-1N6169US

商品类别

TVS - 二极管

封装

MELF

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diode TVS Single Bi-Dir 98.8V 1.5KW 2-Pin G-MELF

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1N6169US Microsemi Corporation Diode TVS Single Bi-Dir 98.8V 1.5KW 2-Pin G-MELF

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1N6169US详情

Microsemi Corporation 1N6169US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    MELF

  • 引脚数

    2

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Breakdown Voltage / V

    130V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    3W

  • Reverse Stand-off Voltage

    98.8V

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 端子位置

    END

  • 终端形式

    环绕

  • 引脚数量

    2

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 最大反向漏电电流

    5μA

  • 箝位电压

    178.8V

  • 峰值脉冲电流

    8.4A

  • 峰值脉冲功率

    1.5kW

  • 方向

    双向

  • 测试电流

    10mA

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    1500W

  • 最小击穿电压

    123.5V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Microsemi Corporation 1N6169US.

右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & 1N6169US相似的参数规格。

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