Microsemi Corporation 1N649UR-1
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1N649UR-1
1619-1N649UR-1
二极管 - 整流器 - 单
DO-213AA (Glass)
大陆
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DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213
1最小包装量--
1N649UR-1详情
Microsemi Corporation 1N649UR-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Lead, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-213AA (Glass)
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
0.5W
包装
Bulk
已出版
1997
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
元素配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
50nA @ 600V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1V @ 400mA
箱体转运
ISOLATED
正向电流
400mA
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
输出电流-最大值
0.4A
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
400mA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
1N649UR-1拓展信息
Microsemi
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