Microsemi Corporation 1N6625E3
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1N6625E3
1619-1N6625E3
二极管 - 整流器 - 单
A, Axial
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DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
1最小包装量--
1N6625E3详情
Microsemi Corporation 1N6625E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
A, Axial
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
O-LALF-W2
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 1000V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.95V @ 1.5A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C~150°C
输出电流-最大值
1A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1100V
最大反向电压(DC)
1.1kV
平均整流电流
1A
反向恢复时间
80 ns
RoHS状态
符合RoHS标准
1N6625E3拓展信息
Microsemi
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