Microsemi Corporation 2N3485A

工厂交货时间

22 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

400mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

200MHz

最大耗散功率(Abs)

0.4W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant