Microsemi Corporation 2N3500

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

配置

SINGLE

功率耗散

1W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant