Microsemi Corporation 2N5115UB
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2N5115UB
1619-2N5115UB
晶体管 - JFET
3-SMD, No Lead
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Trans JFET P-CH 30V 3-Pin UB
1最小包装量--
2N5115UB详情
Microsemi Corporation 2N5115UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
32 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~200°C TJ
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500
已出版
1997
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
500mW
场效应管类型
P-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
25pF @ 15V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
100Ohm
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.5W
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
60mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
6V @ 1nA
电阻-RDS(On)
100Ohm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2N5115UB拓展信息
Microsemi Corporation
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