Microsemi Corporation 2N5582

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

转换频率

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

35ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant