Microsemi Corporation 2N6191
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2N6191
1619-2N6191
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
1最小包装量--
2N6191详情
Microsemi Corporation 2N6191重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Bulk
已出版
2007
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
10W
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
5A
JEDEC-95代码
TO-5
最小直流增益(hFE)
60
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2N6191拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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