Microsemi Corporation APT100GT120JRDL
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APT100GT120JRDL
1604-APT100GT120JRDL
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 123A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
1最小包装量--
APT100GT120JRDL详情
Microsemi Corporation APT100GT120JRDL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
ISOTOP
Package Description
ISOTOP-4
Manufacturer Package Code
ISOTOP
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
747 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
150 ns
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
参考标准
UL 认证
JESD-30代码
R-XUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
570 W
集电极电流-最大值(IC)
123 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.7 V
APT100GT120JRDL拓展信息
Hangzhou Silan Microelectronics
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Microsemi Corporation
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