Microsemi Corporation ARF463AP1G
- 收藏
- 对比
ARF463AP1G
1619-ARF463AP1G
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-247-3
大陆
立即发货

Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-247
--最小包装量--
ARF463AP1G详情
Microsemi Corporation ARF463AP1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
25 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-247-3
质量
38.000013g
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
13.5 ns
包装
Bulk
已出版
1998
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
180W
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
9A
频率
81.36MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
接通延迟时间
5.6 ns
晶体管应用
AMPLIFIER
上升时间
4.3ns
漏源电压 (Vdss)
500V
下降时间(典型值)
4.2 ns
晶体管类型
N-Channel
连续放电电流(ID)
9A
JEDEC-95代码
TO-247AD
栅极至源极电压(Vgs)
30V
增益
15dB
最大输出功率
100W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
125V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ARF463AP1G拓展信息
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。