Microsemi Corporation JAN1N4969US
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JAN1N4969US
1619-JAN1N4969US
二极管 - 齐纳 - 单
E-MELF
大陆
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DIODE ZENER 30V 5W D5B
1最小包装量--
JAN1N4969US详情
Microsemi Corporation JAN1N4969US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
E-MELF
引脚数
2
供应商器件包装
D-5B
操作温度
-65°C~175°C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/356
容差
±5%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
5W
阻抗
8Ohm
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
2μA @ 22.8V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5V @ 1A
功率 - 最大
5W
最大反向漏电电流
2μA
阻抗-最大
8Ohms
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
30V
齐纳电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N4969US拓展信息
Microsemi
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