Microsemi Corporation JAN1N5621US
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JAN1N5621US
1619-JAN1N5621US
二极管 - 整流器 - 单
SQ-MELF, A
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DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
1最小包装量--
JAN1N5621US详情
Microsemi Corporation JAN1N5621US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, A
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Max)
175°C
Operating Temperature (Min)
-65°C
Number of Elements
1
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/429
零件状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
END
终端形式
环绕
资历状况
Qualified
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
500nA @ 800V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.6V @ 3A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
输出电流-最大值
1A
最大反向电压(DC)
800V
平均整流电流
1A
反向恢复时间
300 ns
峰值反向电流
500nA
最大重复反向电压(Vrrm)
800V
峰值非恢复性浪涌电流
30A
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N5621US拓展信息
Microsemi
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