Microsemi Corporation JAN1N6162US
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JAN1N6162US
1619-JAN1N6162US
TVS - 二极管
SQ-MELF, C
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Diode TVS Single Bi-Dir 51.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF
1最小包装量--
JAN1N6162US详情
Microsemi Corporation JAN1N6162US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, C
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Reverse Stand-off Voltage
51.7V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
已出版
1997
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
通用型
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
2
参考标准
MIL
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
元素配置
Single
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
61.37V
功率 - 脉冲峰值
1500W 1.5kW
峰值脉冲电流(10/1000μs)
14.63A
最大反向漏电电流
5μA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
101.96V
箝位电压
97.1V
峰值脉冲电流
15.4A
峰值脉冲功率
1.5kW
方向
双向
测试电流
20mA
双向通道
1
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N6162US拓展信息
Microsemi
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