Microsemi Corporation JAN1N6325US
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JAN1N6325US
1619-JAN1N6325US
二极管 - 齐纳 - 单
SQ-MELF, B
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DIODE ZENER 11V 500MW B-SQ MELF
1最小包装量--
JAN1N6325US详情
Microsemi Corporation JAN1N6325US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Lead, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~175°C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
已出版
1999
容差
±5%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
500mW
端子位置
END
终端形式
环绕
参考标准
MIL-19500/533F
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 8.5V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4V @ 1A
箱体转运
ISOLATED
阻抗-最大
7Ohm
参考电压
11V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
11V
齐纳电压
11V
最大电压允差
5%
动态阻抗-最大值
7Ohm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N6325US拓展信息
Microsemi
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