Microsemi Corporation JAN2N1482

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/207

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

1W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

55V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 200mA 4V

最大集极截止电流

5μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 10mA, 200mA

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant