Microsemi Corporation JAN2N2219AL

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/251

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

800mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/251L

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

75V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant