Microsemi Corporation JAN2N2907AL

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

18 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/291

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/291

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.6V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

50nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

接通时间-最大值(ton)

45ns

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant