Microsemi Corporation JAN2N3735

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/395

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

900mV

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A 1.5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

75V

关断时间-最大值（toff)

60ns

接通时间-最大值(ton)

48ns

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant