JAN2N3997
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Microsemi Corporation JAN2N3997

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型号

JAN2N3997

utmel 编号

1619-JAN2N3997

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-111-4, Stud

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111

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JAN2N3997
JAN2N3997 Microsemi Corporation Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111

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JAN2N3997详情

Microsemi Corporation JAN2N3997重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    22 Weeks

  • 底架

    Stud

  • 安装类型

    Stud Mount

  • 包装/外壳

    TO-111-4, Stud

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    10A

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -65°C~200°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/374

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最大功率耗散

    2W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 引脚数量

    4

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    80V

  • 最大集电极电流

    5A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 1A 2V

  • 最大集极截止电流

    10μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    2V @ 500mA, 5A

  • 集电极基极电压(VCBO)

    100V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & JAN2N3997相似的参数规格。

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JAN2N3997拓展信息

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