Microsemi Corporation JANS1N6632US

底架

表面贴装

安装类型

通孔

包装/外壳

E, Axial

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

5W

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~175°C

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/356

已出版

1999

容差

±5%

JESD-609代码

e0

零件状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

参考标准

MIL-19500/356H

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

300μA @ 1V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5V @ 1A

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

300μA

阻抗-最大

3Ohm

参考电压

3.3V

齐纳电压

3.3V

最大电压允差

5%

工作测试电流

380mA

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant