Microsemi Corporation JANTX2N3467

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Power Dissipation (Max)

1W

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/348

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 100mA, 1A

转换频率

175MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

90ns

接通时间-最大值(ton)

40ns

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant