Microsemi Corporation JANTX2N3737

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-46-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Power Dissipation (Max)

500mW

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/395

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

250MHz

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

500mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A 1.5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-206AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

60ns

接通时间-最大值(ton)

48ns

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant