Microsemi Corporation JANTX2N6251

工厂交货时间

20 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/510

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

5.5W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

6W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

5.5W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

6 @ 10A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1.67A, 10A

集电极基极电压(VCBO)

450V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

4500ns

接通时间-最大值(ton)

2000ns

集电极-基极电容-最大值

500pF

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅