Microsemi Corporation JANTXV2N2369AUB

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Power Dissipation (Max)

400mW

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/317

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

360mW

功率 - 最大

400mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

400nA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant