Microsemi Corporation JANTXV2N3636UB

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

3-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W

系列

Military, MIL-PRF-19500/357

包装

Bulk

操作温度

-65°C~200°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

175V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

175V

关断时间-最大值（toff)

650ns

接通时间-最大值(ton)

200ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

辐射硬化

无