Microsemi Corporation JANTXV2N7369

包装/外壳

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

115W

系列

Military, MIL-PRF-19500/621

包装

Bulk

操作温度

-65°C~200°C TJ

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

115W

箱体转运

ISOLATED

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 3A 2V

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

辐射硬化

无