MSMLJ18AE3
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Microsemi Corporation MSMLJ18AE3

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型号

MSMLJ18AE3

utmel 编号

1619-MSMLJ18AE3

商品类别

TVS - 二极管

封装

DO-214AB, SMC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diode TVS Single Uni-Dir 18V 3KW 2-Pin DO-214AB

起订量

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MSMLJ18AE3
MSMLJ18AE3 Microsemi Corporation Diode TVS Single Uni-Dir 18V 3KW 2-Pin DO-214AB

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MSMLJ18AE3详情

Microsemi Corporation MSMLJ18AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-214AB, SMC

  • 引脚数

    2

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Reverse Stand-off Voltage

    18V

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 应用

    通用型

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    J BEND

  • 引脚数量

    2

  • 极性

    单向

  • 泄漏电流

    2μA

  • 元素配置

    Single

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    20V

  • 功率 - 脉冲峰值

    3000W 3kW

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    102.8A

  • 最大反向漏电电流

    2μA

  • 箝位电压

    29.2V

  • 峰值脉冲电流

    102.8A

  • 峰值脉冲功率

    3kW

  • 测试电流

    1mA

  • 反向击穿电压

    20V

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    3000W

  • 单向通道数

    1

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Microsemi Corporation MSMLJ18AE3.

右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & MSMLJ18AE3相似的参数规格。

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MSMLJ18AE3拓展信息

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JANTX1N6173A/TR
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JANS1N6173A/TR
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