Microsemi Corporation SD1332
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SD1332
1604-SD1332
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Description: RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.100 X 0.100 INCH, HERMETIC SEALED, M150, 4 PIN
1最小包装量--
SD1332详情
Microsemi Corporation SD1332重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
0.100 X 0.100 INCH, HERMETIC SEALED, M150, 4 PIN
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
SQUARE
Package Style
MICROWAVE
Transition Frequency-Nom (fT)
5500 MHz
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
VERY LOW NOISE
端子位置
QUAD
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
S-CQMW-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
EMITTER
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
180 W
集电极电流-最大值(IC)
0.03 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
15 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
0.5 pF
SD1332拓展信息
Micro Electronics Corporation
Tianma Micro-electronics Co
Micro Electronics Corporation
Micro Electronics Corporation
Micro Electronics Corporation
Micro Electronics Corporation
Micro Electronics Corporation
Micro Electronics Corporation
Micro Electronics Corporation
Micro Electronics Ltd







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