Microsemi Corporation VRF151G
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VRF151G
1619-VRF151G
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
4-SMD
大陆
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MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
1最小包装量--
VRF151G详情
Microsemi Corporation VRF151G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
SAMPLING (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
27 Weeks
底架
Screw
包装/外壳
4-SMD
引脚数
5
Number of Elements
1
Voltage Rated
170V
包装
Box
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
300W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
36A
频率
175MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
5
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
测试电流
500mA
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Source
连续放电电流(ID)
36A
栅极至源极电压(Vgs)
40V
增益
16dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
符合RoHS标准
VRF151G拓展信息
Microsemi Corporation
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