Mitsubishi Electric MGF1102
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MGF1102
1645-MGF1102
晶体管 - 特殊用途
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, GD-2, 4 PIN
1最小包装量--
MGF1102详情
Mitsubishi Electric MGF1102重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Drain Current-Max (ID)
0.08 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
ROUND
Package Style
磁盘按钮
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRDB-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
JUNCTION
最高频段
C 带
环境耗散-最大值
0.3 W
功率增益-最小值(Gp)
11 dB
MGF1102拓展信息
Mitsubishi Electric
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