Mitsubishi Electric MIG50Q6CSB1X
- 收藏
- 对比
MIG50Q6CSB1X
1645-MIG50Q6CSB1X
晶体管 - IGBT - 单个
--
大陆
立即发货

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES
1最小包装量--
MIG50Q6CSB1X详情
Mitsubishi Electric MIG50Q6CSB1X重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
材料
Brass
外壳材料
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
,
Operating Temperature-Max
100 °C
Gross weight
5.70
Transport packaging size/quantity
28.5*21*19/500
Thread
M8
Thread depth
16.5 mm
ECCN 代码
EAR99
类型
Threaded blind insert series BLZB
Reach合规守则
unknown
最大耗散功率(Abs)
580 W
集电极电流-最大值(IC)
50 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
VCEsat-最大值
2.6 V
Shaft diameter
10 (+/- 0.5) mm
直径
10.3 mm
长度
18 mm
MIG50Q6CSB1X拓展信息
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric







哦! 它是空的。