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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 QM10TD-H
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Mitsubishi Electric QM10TD-H

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型号

QM10TD-H

品牌

Mitsubishi Electric

utmel 编号

1645-QM10TD-H

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 17 Pin, MODULE-17

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QM10TD-H
QM10TD-H Mitsubishi Electric Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 17 Pin, MODULE-17

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QM10TD-H详情

技术参数

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Mitsubishi Electric QM10TD-H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    17

  • 终端数量

    17

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MITSUBISHI ELECTRIC CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17

  • Number of Elements

    6

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    SOLDER LUG

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PUFM-D17

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMPLEX

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    10 A

  • 最小直流增益（hFE）

    75

0个相似型号

技术文档: Mitsubishi Electric QM10TD-H.

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公司资质

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