QM30E2Y-2H
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Mitsubishi Electric QM30E2Y-2H

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型号

QM30E2Y-2H

utmel 编号

1645-QM30E2Y-2H

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin

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QM30E2Y-2H
QM30E2Y-2H Mitsubishi Electric Description: Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin

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QM30E2Y-2H详情

Mitsubishi Electric QM30E2Y-2H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MITSUBISHI ELECTRIC CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5

  • Number of Elements

    3

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    内置偏置电阻

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMMON COLLECTOR, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    310 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    30 A

  • 最小直流增益(hFE)

    75

  • VCEsat-最大值

    2.5 V

  • 最大下降时间 (tf)

    3000 ns

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技术文档: Mitsubishi Electric QM30E2Y-2H.

QM30E2Y-2H拓展信息

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