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Mitsubishi Electric RD45HMF1

Name: RD45HMF1
Brand: Mitsubishi Electric
SKU: 1645-RD45HMF1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RD45HMF1

品牌

Mitsubishi Electric

utmel 编号

1645-RD45HMF1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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RD45HMF1 Mitsubishi Electric Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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RD45HMF1详情

技术参数

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Mitsubishi Electric RD45HMF1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-CDFM-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

30 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

125 W
最高频段

超高频段

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技术文档: Mitsubishi Electric RD45HMF1.

数据表 :
MITSS05661-1.pdf

RD45HMF1拓展信息

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