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MGFK38V2732
MGFK38V2732

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Mitsubishi Materials U.S.A MGFK38V2732

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型号

MGFK38V2732

品牌

Mitsubishi Materials U.S.A

utmel 编号

1645-MGFK38V2732

商品类别

集成电路（IC）

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MESFET Transistor, N-CHAN, FO-91VAR

起订量

1最小包装量--

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MGFK38V2732
MGFK38V2732 Mitsubishi Materials U.S.A MESFET Transistor, N-CHAN, FO-91VAR

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MGFK38V2732详情

技术参数

Mitsubishi Materials U.S.A MGFK38V2732重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    砷化镓

  • Manufacturer Part Number

    MGFK38V2732

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MITSUBISHI ELECTRIC CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2

  • Risk Rank

    5.84

  • Drain Current-Max (ID)

    5.6 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY, HIGH EFFICIENCY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-XDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5.6 A

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最高频段

    Ku波段

  • 环境耗散-最大值

    43 W

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公司资质

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AS
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