3N190
3N190

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Molex 3N190

  • 收藏
  • 对比

型号

3N190

品牌

Molex

utmel 编号

1657-3N190

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 40V 0.05A 7-Pin TO-99

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
3N190
3N190 Molex Trans MOSFET P-CH 40V 0.05A 7-Pin TO-99

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

3N190详情

Molex 3N190重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Package Code

    TO-99

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W7

  • Risk Rank

    5.32

  • Drain Current-Max (ID)

    0.05 A

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Ihs Manufacturer

    CALOGIC LLC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    3N190

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    VERY HIGH INPUT IMPEDANCE

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-99

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.05 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    300 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    1 pF

0个相似型号

3N190拓展信息

210200862
210200862

Molex

210200241
210200241

Molex

210200181
210200181

Molex

210200435
210200435

Molex

210200369
210200369

Molex

210200245
210200245

Molex

210200817
210200817

Molex

210200129
210200129

Molex

210200821
210200821

Molex

210200443
210200443

Molex

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z