MOTOROLA MTB2N60E

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

2 A

Risk Rank

5.77

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTB2N60E

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

3.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

190 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

环境耗散-最大值

50 W