MOTOROLA INC MTB2P50E

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

DS 击穿电压-最小值

500V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75W