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Motorola Semiconductor Products MMDF2P01HDR1

Name: MMDF2P01HDR1
Brand: Motorola Semiconductor Products
SKU: 1668-MMDF2P01HDR1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMDF2P01HDR1

品牌

Motorola Semiconductor Products

utmel 编号

1668-MMDF2P01HDR1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.2ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 751-05, SOIC-8

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MMDF2P01HDR1 Motorola Semiconductor Products Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.2ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 751-05, SOIC-8

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MMDF2P01HDR1详情

技术参数

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Motorola Semiconductor Products MMDF2P01HDR1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)

2 A
Number of Elements

2
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

17 A
DS 击穿电压-最小值

12 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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