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Motorola Semiconductor Products MMFT3166T1

Name: MMFT3166T1
Brand: Motorola Semiconductor Products
SKU: 1668-MMFT3166T1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMFT3166T1

品牌

Motorola Semiconductor Products

utmel 编号

1668-MMFT3166T1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

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MMFT3166T1 Motorola Semiconductor Products Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

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MMFT3166T1详情

技术参数

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Motorola Semiconductor Products MMFT3166T1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC
Drain Current-Max (ID)

1 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-261AA
漏极-源极导通最大电阻

2 Ω
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

1.5 W
环境耗散-最大值

1.5 W

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技术文档: Motorola Semiconductor Products MMFT3166T1.

数据表 :
MOSES03455-1.pdf

MMFT3166T1拓展信息

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