注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
BC856S
品牌
MSKSEMI
utmel 编号
1676-BC856S
商品类别
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
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ROHS
ECAD
简介
65V 200mW 110@2mA,5V 100mA PNP SOT-363 Bipolar (BJT) ROHS
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BC856S详情
技术参数
MSKSEMI BC856S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
RoHS
true
Collector Cut-Off Current (Icbo)
15nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)
65V
Power Dissipation (Pd)
200mW
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)
110@2mA,5V
Collector Current (Ic)
100mA
Transition Frequency (fT)
100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)
300mV@100mA,5mA
Package
Tape & Reel (TR)
晶体管类型
PNP
BC856S拓展信息
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型号：BC856B
封装：--
品牌：MSKSEMI
库存：0
型号：BC847C
型号：2SC1623
型号：BC857A
型号：MMBTA06
型号：S9018
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