2N6499
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Multicomp 2N6499

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型号

2N6499

品牌

Multicomp

utmel 编号

1682-2N6499

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (BJT) Single Transistor,NPN, 350 V, 5 A, 80 W, TO-220, Through Hole

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2N6499 Multicomp Bipolar (BJT) Single Transistor,NPN, 350 V, 5 A, 80 W, TO-220, Through Hole

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2N6499详情

Multicomp 2N6499重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • MSL

    -

  • Qualification

    -

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    350 V

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    5 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N6499

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Inchange Semiconductor Company Ltd

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD

  • Turn-off Time-Max (toff)

    3500 ns

  • Rise Time-Max (tr)

    1000 ns

  • Risk Rank

    5.72

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最大功率耗散

    80 W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    80W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    350 V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 转换频率

    5MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    80 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    5 A

  • 最小直流增益(hFE)

    3

  • 连续集电极电流

    5A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    350 V

  • VCEsat-最大值

    5 V

  • 最大下降时间 (tf)

    1000 ns

  • 达到SVHC

    无SVHC

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2N6499拓展信息

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BU407
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BD243C
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D44H11
D44H11

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