Multicomp BDV66A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100 V

hFEMin

1000

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BDV66A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

康赛特半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

康赛特半导体

Risk Rank

5.77

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SXT324

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

兆赫晶体

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

125 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

频率

19.2 MHz

频率稳定性

±25ppm

JESD-30代码

R-PSFM-T3

ESR（等效串联电阻）

70 Ohms

极性

PNP

配置

SINGLE

负载电容

10pF

操作模式

Fundamental

功率耗散

125 W

箱体转运

COLLECTOR

频率容差

±25ppm

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-2 V

最大集电极电流

16 A

转换频率

6 MHz

最大耗散功率(Abs)

175 W

集电极电流-最大值(IC)

16 A

最小直流增益（hFE）

1000

集电极-发射器电压-最大值

100 V

VCEsat-最大值

2 V

集电极-基极电容-最大值

300 pF

环境耗散-最大值

175 W

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

达到SVHC

无SVHC

评级结果

-