Multicomp HY75N10T

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

有

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

HY75N10T

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

HY Electronic Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

HY ELECTRONIC CORP

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

75 A

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.013 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR