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Murata Electronics NTR2101PT1G
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NTR2101PT1G
1685-NTR2101PT1G
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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大陆
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NTR2101PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Murata Electronics stock available at utmel
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NTR2101PT1G详情
Murata Electronics NTR2101PT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
HTS
8541.21.00.95
Category
小信号
Process Technology
TMOS
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
8
Maximum Gate Source Voltage (V)
±8
Maximum Continuous Drain Current (A)
3.7
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1173@4V
Maximum Power Dissipation (mW)
960
Typical Fall Time (ns)
31
Typical Rise Time (ns)
15.75
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
38
Typical Turn-On Delay Time (ns)
7.4
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
包装
卷带
零件状态
活跃
配置
Single
信道型
P
NTR2101PT1G拓展信息
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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