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技术文档
型号
NT5CC512M8BN-DI
品牌
Nanya
utmel 编号
1700-NT5CC512M8BN-DI
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
NT5CC512M8BN-DI datasheet pdf and Unclassified product details from Nanya stock available at utmel
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NT5CC512M8BN-DI详情
技术参数
Nanya NT5CC512M8BN-DI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
78
Access Time-Max
0.225 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
800 MHz
Manufacturer
Nanya Technology Corporation
Manufacturer Part Number
Number of Words
536870912 words
Number of Words Code
512000000
Operating Temperature-Max
95 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Description
TFBGA, BGA78,9X13,32
Package Equivalence Code
BGA78,9X13,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Ihs Manufacturer
NANYA TECHNOLOGY CORP
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.61
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.45 V
电源
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.283 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.268 mA
组织结构
512MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.025 A
记忆密度
4294967296 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
交错突发长度
访问模式
多库页面突发
自我刷新
长度
12 mm
宽度
10 mm
NT5CC512M8BN-DI拓展信息
公司资质
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