National Semiconductor 11C91DMQB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

D-Pak

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

99W (Tc)

Product Status

活跃

Base Product Number

11C91

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.1mOhm @ 76A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 100µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3171 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

99 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-