National Semiconductor DM5460N

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

供应商器件包装

8-DFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta), 41A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

2W (Ta), 25W (Tc)

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

AlphaMOS

零件状态

活跃

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5 mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.7V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

场效应管特性

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