National Semiconductor DP8212MJ

表面安装

NO

终端数量

24

Manufacturer Part Number

DP8212MJ

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

CERAMIC, DIP-24

Risk Rank

8.41

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

2

比特数

8

家人

TTL/H/L

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.572 mm

输出极性

TRUE

逻辑IC类型

总线驱动器

传播延迟(tpd)

30 ns

宽度

15.24 mm