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技术文档
型号
LF357N
品牌
National Semiconductor
utmel 编号
1704-LF357N
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC Decompensated JFET Opamp.DIL-8
起订量
1最小包装量--
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LF357N详情
技术参数
National Semiconductor LF357N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
8
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Slew Rate-Nom
50 V/us
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Supply Voltage-Nom (Vsup)
15 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Common-mode Reject Ratio-Nom
100 dB
Risk Rank
5.84
Part Package Code
Neg Supply Voltage Limit-Max
-18 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
锡铅
子类别
运算放大器
技术
BIPOLAR
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
引脚数量
JESD-30代码
R-PDIP-T8
温度等级
COMMERCIAL
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
座位高度-最大
5.08 mm
负电源电压(Vsup)
-15 V
统一增益 BW-(标准值)
20000 kHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.0002 µA
电源电压限制-最大值
18 V
输入失调电压-最大值
13000 µV
宽度
7.62 mm
长度
9.817 mm
LF357N拓展信息
公司资质
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